雷火竞技官网 持续升级高性能氮化镓工艺平台,助推产学研融通创新
同济大学专业:A GaN SLCG-Doherty-Continuum Power Amplifier Achieving > 38% 6dB Back-Off Efficiency over 1.35 to 7.6GHz 清华本科大学:Highly Efficient Doherty Power Amplifier With Peak/Backoff-Joint Matching 电子器材社会高校:A 0.03 to 6 GHz Gallium Nitride Monolithic Microwave Integrated Circuit Power Amplifier with Improved OIP3/Pdc using Nonlinear Cancellation
雷火竞技官网 将自身的市场定位为本进频射氮化镓打造中,那些成绩的发稿分享了其 0.25 µm GaN施工工艺机构(DG25xx系列作品)在宽度带、极有学习效率率及高线型后级功放构思中的重点突出优越,也诠释了制造业与学界分工协作革新的市场价值。
表一:DG2503品台10GHz、18GHz微波射频大走势功效
图一 (a) 10GHz MXE点额定功率扫锚弧线(b)18GHz MXE点效率扫视斜率
回顾总结历史文化,雷火竞技官网 自2021年开发弟第二代0.25 µm线宽的工序app游戏平台后,app游戏平台的rf射频效能已历三次更替,以18GHz频点28V用的性能方面来说,如图下图二下图,在未去第二次谐波配比的前提下,系统PA漏极高效率(DE)由50%提拔至63%,另外,公率溶解度由6W/mm提拔至7.7W/mm,提高自己波幅为28.3%,補充原因分析的是,这一个过程中 中,其效率增加收益(Gp)也不断提升了2dB左右,最后满足了吸收率、耗油率孔隙率、收获的新一轮升级。
图二 DG25xx产品工作平台耐磨性演变具体情况
雷火竞技官网 的DG25xx款型工艺技术系统在期重视耐热性的同样,更点赞靠谱性。GaN HEMT配件的Power droop困难持续十一届三中是制造业瓶颈,即电子器件在食用操作过程中会受到电机功率受损的困难,为严重的问题下受损频率可超1dB。如图甲一样三一样,雷火竞技官网 利用自己有技術,完成了对“Power droop”的抑制作用:元器在經歷了504小DC-HTOL(肖特基结热度225℃)的压力后,电子元件的电功率可以说未衰弱。这样成就的实现目标,对的选择在雷火竞技官网 采取晶圆代加工的用户无非是愈来愈友好关系的,象征着着用户拿下的產品在在使用工作中其耐腐蚀性将愈来愈平衡。
图三 DG25xx系统机构DC-HTOL后电功率萎缩问题
图四 DG2503网络平台MMIC制定仿真软件和测试数据差距典例
(a) PAE (b)Pout
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