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Part Number Package Band(MHz) Ppeak(W) Pout(dBm) Eff@Pout(%) Power Gain(dB) Status Download
DXG2CH50A-450EF* 780P2 4800~5000 450 47.5 43.0 12.0 Engineering Sample 雷火竞技官网:
DXG2MH50A-50N* LGA 6mm×10mm 4700~5000 50 38.8 40.5 28.0 Released Product
DXG1PH60B-10N2* DFN 4mm×4mm DC~6000 10 34.0 32.0 20.0 Released Product 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:DXG1CH25P-320EF 780P2 2435~2465 320 55.0 75.0 14.0 Released Product 雷火竞技官网:
D2J080DH2 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2J325DB2 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2J185DE2 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2J160DH2
雷火竞技官网:D2J140DE2 雷火竞技官网:
D2J090DE2
D2J070DH2 雷火竞技官网:
D2H620DE1
D2H500DE1
雷火竞技官网:D2H400DE1 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:DXG1CH08A-540EF* 780P2 758~821 540 49.0 58.0 18.0 Released Product 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H320DB1
雷火竞技官网:D2H320DE1 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H290DE1 雷火竞技官网:
DXG2CH22A-520EF* 780P2 2110~2170 510 49.0 58.2 14.8 Released Product
D2H235DE1

DXG2CH50A-450EF*

Brief description for the product

DXG2CH50A-450EF*
DXG2CH50A-450EF is a 450 W RF GaN HEMT Transistor with second generation RF GaN technology from Dynax, which is ideal for cellular base station applications at frequencies from 4800 MHz to 5000 MHz.

Operating Characteristics

ParameterValueUnit
Frequency (Min.)4800MHz
Frequency (Max.)5000MHz
Supply Voltage (Typ.)52V
Psat (Typ.)56.6dBm
Power Gain @ 4900 MHz11.8dB
Efficiency @ 4900 MHz42.6%
ACPR @ 4900 MHz-34.0/-47.0dBc


Note: Above Performance is the typical Doherty performance in Dynax’s demo with the device soldered onto the heatsink, test condition: VDS = 52 V, IDQA = 2300 mA, VGSB = - 4.1 V, Pout = 47.5 dBm Avg., Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 % Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.


DXG2MH50A-50N*

Brief description for the product

DXG2MH50A-50N*
DXG2MH50A-50N is a 50 W RF GaN HEMT Transistor with second generation RF GaN technology from Dynax, which is ideal for cellular base station applications at frequencies from 4700 MHz to 5000 MHz.

Operating Characteristics

ParameterValueUnit
Frequency (Min.)2496MHz
Frequency (Max.)2690MHz
Supply Voltage (Typ.)48V
Psat (Typ.)49.9dBm
Power Gain @ 2600 MHz15.9dB
Efficiency @ 2600 MHz56.5%
ACPR @ 2600 MHz-32.5dBc


Note: Above Performance is the typical Doherty performance in Dynax’s demo with the device soldered onto the heatsink, test condition: VDS = 48 V, IDQA = 90 mA, VGSB = - 5.9 V, Pout = 41.3 dBm Avg., Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 % Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.


DXG1PH60B-10N2*

Brief description for the product

DXG1PH60B-10N2*
DXG1PH60B-10N2 is a 10 W RF GaN HEMT Transistor with first generation RF GaN technology from Dynax, which is ideal for cellular base station applications at frequencies from DC to 6 GHz.


Operating Characteristics

ParameterValueUnit
Frequency (Min.)DCMHz
Frequency (Max.)6000MHz
Supply Voltage (Typ.)48V
Psat (Typ.)40.3dBm
Power Gain @ 3500 MHz20.2dB
Efficiency @ 3500 MHz32.3%


Note: Above Performance is the typical Doherty performance in Dynax's demo with the device soldered onto the heatsink, test condition: VDS = 48 V, IDQA = 30 mA.


DXG1CH25P-320EF

Brief description for the product

DXG1CH25P-320EF
DXG1CH25P-320EF is a 320 W RF GaN HEMT Transistor with first generation RF GaN technology from Dynax, which is ideal for industrial, scientific and medical applications at frequencies from 2400 MHz to 2500 MHz.

Operating Characteristics

ParameterValueUnit
Frequency (Min.)2400MHz
Frequency (Max.)2500MHz
Supply Voltage (Typ.)48V

Psat1 @ 2435 MHz

55.3dBm

Power Gain2 @ 2435 MHz

14.6dB

Efficiency2 @ 2435 MHz

73.6%


Note: Above Performance is the typical performance in Dynax's demo  with the device soldered onto the heatsink, test condition:VDS= 50 V, VGS = - 4.8 V.


D2J080DH2

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D2J080DH2
D2J080DH2都是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁出率结晶体管（HEMT），包括高效、性价比最高率、高增益值、更易输入、光纤宽带宽等特质，是繁多频射和微波射频软件应用的梦想选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸725*2985mm
典型功率 @6GHz 48V80W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.6dB
典型功率 @10GHz 28V44W
效率 @10GHz 28V59%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、学习的效率、增加收益图案为各自 48V 6GHz频点，极限学习的效率下的模型仿真数据显示；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 6 GHz


2、率、增益控制标示为相应 28V 10GHz频点，最明显率下的模型模拟数据文件

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 10 GHz


D2J325DB2

Brief description for the product

D2J325DB2
D2J325DB2一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材转迁率结晶管（HEMT），都具有高效益率、高增益控制、有利于配对、带宽宽等优点，是各项rf射频和微波射频选用的好考虑。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸945*6075mm
典型功率 @6GHz 48V325W
效率 @6GHz 48V61%
增益 @6GHz 48V17.3dB
典型功率 @10GHz 28V180W
效率 @10GHz 28V45%
增益 @10GHz 28V9.8dB














1、效果、增益值广告为使用 48V 6GHz频点，很大效果下的模型模拟统计资料；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz


2、热效应、增益值标贴为相匹配的 28V 10GHz频点，最好热效应下的仿真软件数值

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz


D2J185DE2

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D2J185DE2
D2J185DE2一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂渗透率结晶体管（HEMT），具高有效率率、高收获、更能符合、宽带网宽等优势特点，是各项rf射频和微波加热利用的人生理想选泽。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸920*4250mm
典型功率 @6GHz 48V185W
效率 @6GHz 48V67%
增益 @6GHz 48V18.1dB
典型功率 @10GHz 28V100W
效率 @10GHz 28V52%
增益 @10GHz 28V12.1dB














1、效果、增益控制标识图片为使用 48V 6GHz频点，更大效果下的模拟数据分析；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 6 GHz


2、速率、增益控制标牌为各自 28V 10GHz频点，很大速率下的模型模拟大数据

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 10 GHz


D2J160DH2

Brief description for the product

D2J160DH2
D2J0160DH2是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上挪动率结晶体管（HEMT），都具有速率高率、高增益控制、有利于自动匹配、网络带宽宽等特质，是一些频射和微波加热技术应用的满意取舍。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸800*4390mm
典型功率 @6GHz 48V160W
效率 @6GHz 48V69%
增益 @6GHz 48V19.6dB
典型功率 @10GHz 28V90W
效率 @10GHz 28V54%
增益 @10GHz 28V13.8dB














1、效果、增益值标识（标签）为表示 48V 6GHz频点，非常大效果下的仿真模拟数值；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 6 GHz


2、效应、增加收益标签为对照 28V 10GHz频点，最大的效应下的模拟仿真数据分析

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J140DE2

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D2J140DE2
D2J140DE2不是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化转入率尖晶石管（HEMT），含有便捷率、高增益控制、也容易识别、宽带网宽等的特点，是各式频射和微波射频技术应用的完美选购。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸850*3770mm
典型功率 @6GHz 48V140W
效率 @6GHz 48V70%
增益 @6GHz 48V18.4dB
典型功率 @10GHz 28V75W
效率 @10GHz 28V55%
增益 @10GHz 28V13.0dB














1、利用率、增加收益标记为相匹配 48V 6GHz频点，主要利用率下的模型模拟资料；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频率 = 6 GHz


2、成功率、增加收益logo为相对应 28V 10GHz频点，大成功率下的模拟仿真大数据

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz


D2J090DE2

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D2J090DE2
D2J090DE2就是一款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能转化率硫化锌管（HEMT），兼具高效益率、高增加收益、非常容易适配、宽带网宽等优点，是多种rf射频和微波通信应运的很好决定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸790*2835mm
典型功率 @6GHz 48V90W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V18.9dB
典型功率 @10GHz 28V50W
效率 @10GHz 28V58%
增益 @10GHz 28V13.7dB














1、效果、增益值标识牌为相当于 48V 6GHz频点，主要效果下的逼真数据资料；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频率 = 6 GHz


2、生产率、收获标牌为代表 28V 10GHz频点，主要生产率下的仿真模型数据分析

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J070DH2

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D2J070DH2
D2J070DH2就是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子移动率结晶管（HEMT），拥有更高转化率、高增加收益、有利于适配、带宽宽等结构特征，是各样频射和微波射频操作的完美挑选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸655*2725mm
典型功率 @6GHz 48V70W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典型功率 @10GHz 28V38W
效率 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、的成功率、增益控制标志标识为相对 48V 6GHz频点，更大的成功率下的逼真统计数据；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频率 = 6 GHz


2、学习效果、增益值标志为分属 28V 10GHz频点，主要学习效果下的建模数据资料

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz


D2H620DE1

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D2H620DE1
D2H620DE1有的是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子移迁率硫化锌管（HEMT），还具有高利用率率、高增益控制、有利于相配、网络带宽宽等优势，是几种微波加热射频和微波加热选用的比较好采用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











率和收获技术指标为相应的2.6GHz自测频点、最明显率点下的模仿数据统计

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H500DE1

Brief description for the product

D2H500DE1
D2H500DE1有的是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上知识率结晶管（HEMT），存在有效应率、高收获、有利于切换、移动宽带宽等结构特征，是一些频射和微波加热用途的很理想选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1225*5900mm
应用电压48V
典型功率500W
效率
72%
增益18.4Db











成功率和收获目标为相应的2.6GHz检验频点、很大成功率点下的模型制作参数

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H400DE1

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D2H400DE1
D2H400DE1有的是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件变迁率纳米线管（HEMT），具更高吸收率、高收获、更能配备、联通宽带宽等共同点，是很多频射和徽波应用领域的非常完美选定 。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1065*5900mm
应用电压48V
典型功率400W
效率
73%
增益19.2Db











有转化率和增益值公式为表示2.6GHz测评频点、更大有转化率点下的防真统计数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 频率 = 2.6 GHz


DXG1CH08A-540EF*

Brief description for the product

DXG1CH08A-540EF*
DXG1CH08A-540EF is a 540 W RF GaN HEMT Transistor with first generation RF GaN technology from Dynax, which is ideal for 758 MHz to 821 MHz cellular base station applications. It features input matching, wideband and a thermally-enhanced package.


Operating Characteristics


ParameterValueUnit
Frequency (Min.)758MHz
Frequency (Max.)821MHz
Supply Voltage (Typ.)48V
Psat (Typ.)57.0dBm
Power Gain @ 780 MHz18.0dB
Efficiency @ 780 MHz58.0%
ACPR @ 780 MHz-28.0dBc

Note: Above Performance is the typical Doherty performance in Dynax’s demo with the device soldered onto the heatsink, Test condition: VDS = 48 V, IDQA = 500 mA, VGSB = - 4.5 V, Pout = 49.0 dBm Avg., Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 % Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.


D2H320DB1

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D2H320DB1
D2H320DB1都是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，变迁率结晶体管（HEMT），存在成功率高率、高增加收益、也容易搭配、网络带宽宽等特色，是各式各样红外光射频和红外光操作的良好选取。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸915*6075mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











效果和增益控制评价指标为分属2.6GHz测评频点、主要效果点下的防真统计数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H320DE1

Brief description for the product

D2H320DE1
D2H320DE1不是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上转移率纳米线管（HEMT），存在便捷率、高收获、有利适应、带宽宽等显著特点，是各种类型频射和微波射频广泛应用的人生理想选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸935*5870mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益19.3Db











转化率和增加收益的指标为相匹配的2.6GHz测试方法频点、极限转化率点下的模型仿真资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H290DE1

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D2H290DE1
D2H290DE1就是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子转入率尖晶石管（HEMT），具备有有错误率率、高增益控制、更能连接、网络带宽宽等优势特点，是各个频射和徽波应用的很好会选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸955*5795mm
应用电压48V
典型功率290W
效率
77%
增益20.2dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 频率 = 2.6 GHz


DXG2CH22A-520EF*

Brief description for the product

DXG2CH22A-520EF*

DXG2CH22A-520EF is a 520 W RF GaN HEMT Transistor with second generation RF GaN technology from Dynax, which is ideal for cellular base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz.


Operating Characteristics

ParameterValueUnit
Frequency (Min.)2110MHz
Frequency (Max.)2170MHz
Supply Voltage (Typ.)48V
Psat (Typ.)57.1dBm
Power Gain @ 2140 MHz14.8dB
Efficiency @ 2140 MHz58.2%
ACPR @ 2140 MHz-34.6dBC


Note: Above Performance is the typical Doherty performance in Dynax’s demo with the device soldered onto the heatsink, test condition: VDS = 48 V, IDQA = 200 mA, VGSB = - 5.5 V, Pout = 49.0 dBm Avg., Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 % Probability on CCDF.ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.


D2H235DE1

Brief description for the product

D2H235DE1
D2H235DE1是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子技术移迁率晶状体管（HEMT），极具有速率、高增益控制、更能配备、网络带宽宽等结构特征，是各类rf射频和微波加热应该用的期望挑选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸835*5440mm
应用电压48V
典型功率235W
效率
79%
增益20.3dB











错误率和收获的指标为应对2.6GHz测量频点、明显错误率点下的模型仿真数据分析

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 频率 = 2.6 GHz