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D2J080DH2

Brief description for the product

D2J080DH2
D2J080DH2是一个款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转化率结晶体管（HEMT），都具有优质率、高增益控制、更易匹配好、宽带网宽等亮点，是多种微波加热射频和微波加热应用的非常理想抉择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸725*2985mm
典型功率 @6GHz 48V80W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.6dB
典型功率 @10GHz 28V44W
效率 @10GHz 28V59%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、错误率、增益控制图案为使用 48V 6GHz频点，主要错误率下的模拟仿真数据表格；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 6 GHz


2、能力、增益值广告为相对应的 28V 10GHz频点，极限能力下的仿真模拟数据显示

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 10 GHz