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D2J325DB2


Brief description for the product

D2J325DB2

D2J325DB2就是一款氧化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高网上转移率硫化锌管(HEMT),具备着高效、性价比最高率、高收获、便于一致、宽带网络宽等优势特点,是很多徽波射频和徽波广泛应用的志向选定 。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸945*6075mm
典型功率 @6GHz 48V325W
效率 @6GHz 48V61%
增益 @6GHz 48V17.3dB
典型功率 @10GHz 28V180W
效率 @10GHz 28V45%
增益 @10GHz 28V9.8dB














1、错误率、增加收益标贴为相当于 48V 6GHz频点,最明显错误率下的模仿数值;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz


2、效果、收获标牌为相当于 28V 10GHz频点,最高效果下的仿真技术数据源

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz