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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
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  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2J185DE2是一个款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子迁徙率结晶体管（HEMT），兼有高学习效率率、高增益控制、更易筛选、宽带网络宽等基本特征，是不同徽波射频和徽波采用的佳选泽。