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D2J140DE2


Brief description for the product

D2J140DE2

D2J140DE2不是款炭化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子无线渗透率尖晶石管(HEMT),更具极有利用率率、高增益控制、有利于相匹配、光纤宽带宽等特性,是种种rf射频和微波加热选用的抱负选泽。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸850*3770mm
典型功率 @6GHz 48V140W
效率 @6GHz 48V70%
增益 @6GHz 48V18.4dB
典型功率 @10GHz 28V75W
效率 @10GHz 28V55%
增益 @10GHz 28V13.0dB














1、高高效率、收获标牌为相匹配的 48V 6GHz频点,最明显高高效率下的模型模拟数据分析;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频率 = 6 GHz


2、效果、增益控制识别为相对应的 28V 10GHz频点,很大效果下的模型仿真大数据

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz