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D2J090DE2


Brief description for the product

D2J090DE2

D2J090DE2一款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高手机知识率纳米线管(HEMT),兼具高率、高增加收益、适于连接、宽带网络宽等特殊性,是不同频射和红外光app的非常完美选取。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸790*2835mm
典型功率 @6GHz 48V90W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V18.9dB
典型功率 @10GHz 28V50W
效率 @10GHz 28V58%
增益 @10GHz 28V13.7dB














1、转化率、增益值标示牌为相关联 48V 6GHz频点,很大转化率下的仿真模型数据文件;

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频率 = 6 GHz


2、高速度、收获标示为各自 28V 10GHz频点,最多高速度下的模型制作资料

仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz