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D2J070DH2

Brief description for the product

D2J070DH2
D2J070DH2不是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，迁出率尖晶石管（HEMT），具备着高率的率、高增加收益、易连接、宽带网宽等显著特点，是一些rf射频和微波通信采用的佳使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸655*2725mm
典型功率 @6GHz 48V70W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典型功率 @10GHz 28V38W
效率 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、利用率、增益控制标志标识为分别 48V 6GHz频点，最大程度利用率下的模拟数值；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频率 = 6 GHz


2、的成功率、增益控制标识图片为相关联 28V 10GHz频点，最主要的成功率下的仿真模拟数据库

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz