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J系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型性能@6GHz 48V (W) 效率@6GHz 48V (%) 增益@6GHz 48V (dB) 典型性能@10GHz 28V (W) 效率@10GHz 28V (%) 增益@10GHz 28V (dB) Download
雷火竞技官网:D2J080DH2 220 8.80 725 2985 80 73 20.6 44 59 15.5 雷火竞技官网:
D2J325DB2 440 42.24 945 6075 325 61 17.3 180 45 9.8
D2J185DE2 415 23.24 920 4250 185 67 18.1 100 52 12.1
D2J160DH2 295 18.88 800 4390 160 69 19.6 90 54 13.8
雷火竞技官网:D2J140DE2 345 16.56 850 3770 140 70 18.4 75 55 13.0
雷火竞技官网:D2J090DE2 285 10.26 790 2835 90 73 18.9 50 58 13.7 雷火竞技官网:
D2J070DH2 210 7.56 655 2725 70 73 20.5 38 60 15.5 雷火竞技官网:
注：
1. 效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
2. 效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据。
    共1页 7条

D2J080DH2

Brief description for the product

D2J080DH2
D2J080DH2也是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学知识率晶状体管（HEMT），体现了高利用率的率、高增益值、也容易搭配、带宽宽等共同点，是种种徽波射频和徽波用途的好选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸725*2985mm
典型功率 @6GHz 48V80W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.6dB
典型功率 @10GHz 28V44W
效率 @10GHz 28V59%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、率、增加收益标签为对应着 48V 6GHz频点，最多率下的防真数据分析；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 6 GHz


2、转化率、增益值标识牌为分别 28V 10GHz频点，最明显转化率下的仿真模拟数据资料

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 频率 = 10 GHz


D2J325DB2

Brief description for the product

D2J325DB2
D2J325DB2就是一款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，变迁率结晶体管（HEMT），具备着极有使用率率、高收获、非常易配对、宽带网络宽等显著特点，是各种类型rf射频和微波射频app的很理想选定 。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸945*6075mm
典型功率 @6GHz 48V325W
效率 @6GHz 48V61%
增益 @6GHz 48V17.3dB
典型功率 @10GHz 28V180W
效率 @10GHz 28V45%
增益 @10GHz 28V9.8dB














1、质量、增益值识别为各自 48V 6GHz频点，极限质量下的模拟数剧；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz


2、错误率、增益控制标识标牌为匹配 28V 10GHz频点，最大化错误率下的模型仿真统计数据

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz


D2J185DE2

Brief description for the product

D2J185DE2
D2J185DE2是一种款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能转至率单晶体管（HEMT），存在错误率高率、高收获、更能筛选、带宽宽等结构特征，是各方面频射和微波射频应该用的理想型选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸920*4250mm
典型功率 @6GHz 48V185W
效率 @6GHz 48V67%
增益 @6GHz 48V18.1dB
典型功率 @10GHz 28V100W
效率 @10GHz 28V52%
增益 @10GHz 28V12.1dB














1、工作率、增加收益识别为应对 48V 6GHz频点，上限工作率下的仿真模型数据统计；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 6 GHz


2、质量、增益控制LOGO为分属 28V 10GHz频点，最大程度质量下的模型制作参数

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 10 GHz


D2J160DH2

Brief description for the product

D2J160DH2
D2J0160DH2不是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网上挪动率氯化钠晶体管（HEMT），享有快速率、高增益值、方便自动匹配、光纤宽带宽等的特点，是所有频射和微波加热app的抱负取舍。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸800*4390mm
典型功率 @6GHz 48V160W
效率 @6GHz 48V69%
增益 @6GHz 48V19.6dB
典型功率 @10GHz 28V90W
效率 @10GHz 28V54%
增益 @10GHz 28V13.8dB














1、效果、增加收益标识牌为匹配 48V 6GHz频点，最好效果下的模型仿真统计数据；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 6 GHz


2、速率、收获标示为分属 28V 10GHz频点，最主要速率下的模型仿真数据信息

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J140DE2

Brief description for the product

D2J140DE2
D2J140DE2就是一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化转化率晶胞管（HEMT），有着有质量率、高收获、非常易识别、联通宽带宽等显著特点，是不同rf射频和微波射频使用的理想型进行。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸850*3770mm
典型功率 @6GHz 48V140W
效率 @6GHz 48V70%
增益 @6GHz 48V18.4dB
典型功率 @10GHz 28V75W
效率 @10GHz 28V55%
增益 @10GHz 28V13.0dB














1、工作有效率、收获标识（标签）为分属 48V 6GHz频点，最多工作有效率下的模型仿真数据源；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频率 = 6 GHz


2、吸收率、增加收益表示为匹配 28V 10GHz频点，较大吸收率下的模型制作数据文件

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz


D2J090DE2

Brief description for the product

D2J090DE2
D2J090DE2不是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高自动化移迁率硫化锌管（HEMT），都具有科学规范率、高增益值、方便相配、宽带网宽等基本特征，是多种多样红外光射频和红外光技术应用的自然选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸790*2835mm
典型功率 @6GHz 48V90W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V18.9dB
典型功率 @10GHz 28V50W
效率 @10GHz 28V58%
增益 @10GHz 28V13.7dB














1、转化率、增益控制标识牌为相关联 48V 6GHz频点，最大化转化率下的仿真模型统计资料；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频率 = 6 GHz


2、利用率、收获标签为相匹配的 28V 10GHz频点，很大利用率下的仿真模型数据统计

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz


D2J070DH2

Brief description for the product

D2J070DH2
D2J070DH2有的是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商变更率尖晶石管（HEMT），具有着科学规范率、高增益控制、最易配备、联通宽带宽等显著特点，是一些rf射频和微波通信软件的理想的选泽。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸655*2725mm
典型功率 @6GHz 48V70W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典型功率 @10GHz 28V38W
效率 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB














1、的能力、增加收益LOGO为相匹配 48V 6GHz频点，最大化的能力下的建模信息；

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频率 = 6 GHz


2、吸收率、增益控制标记为对照 28V 10GHz频点，最好吸收率下的建模数值

仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz