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H系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型功率 (W) 效率@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H025DB1 205 2.46 685 1035 25 82 22.7
D2H025DA1 315 2.52 645 825 25 82 21.9
D2H014DA1 350 1.40 695 568 14 83 22.9 雷火竞技官网:
D2H010DA1 250 1.00 685 570 10 83 23.7 雷火竞技官网:
注：
1. 效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据。

D2H025DB1

Brief description for the product

D2H025DB1
D2H025DB1有的是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商挪动率结晶管（HEMT），还具有高工作效率的率、高增益值、方便于适应、带宽宽等的特点，是各项频射和微波通信利用的梦想采用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸685*1035mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益22.7dB











速度和增加收益指标英文为相对2.6GHz试验频点、更大速度点下的仿真模拟信息

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H025DA1

Brief description for the product

D2H025DA1
D2H025DA1不是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高网络移动率结晶体管（HEMT），体现了快速率、高增益值、便于自动匹配、带宽宽等优点和缺点，是种种频射和微波通信操作的很理想选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸645*825mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益21.9dB











工作工作效率和收获完成指标为使用2.6GHz测试图片频点、最高工作工作效率点下的建模数据统计

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H014DA1

Brief description for the product

D2H014DA1
D2H014DA1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件转入率单晶体管（HEMT），体现了效应率、高增益控制、不易适应、宽带网宽等特别，是很多频射和微波通信应用软件的满意选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸695*568mm
应用电压48V
典型功率14W
效率
83%
增益22.9Db











速度和增益值依据为相匹配的2.6GHz测试仪频点、最高速度点下的模型模拟大数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 42 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H010DA1

Brief description for the product

D2H010DA1
D2H010DA1是一个款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能迁徙率晶状体管（HEMT），具备效果率、高增加收益、非常容易自动匹配、光纤宽带宽等特性，是多种频射和微波射频应用领域的比较好决定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸685*570mm
应用电压48V
典型功率10W
效率
83%
增益23.7Db











使用率和增加收益统计指标为各自2.6GHz测评频点、最明显使用率点下的防真数据信息

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 频率 = 2.6 GHz