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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H014DA1一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子移动率尖晶石管（HEMT），具备有提高效率高率、高增益控制、利于适配、宽带网络宽等结构特征，是各式各样rf射频和微波加热应用软件的良好选定 。