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D2H010DA1


Brief description for the product

D2H010DA1

D2H010DA1是一种款氢氟酸处理硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材转至率纳米线管(HEMT),体现了有使用率、高增益控制、利于配比、光纤宽带宽等优缺点,是不同的频射和微波通信应用的自然选定。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸685*570mm
应用电压48V
典型功率10W
效率
83%
增益23.7Db











质量和增益值指数公式为对照2.6GHz测试方法频点、最明显质量点下的模拟仿真数据资料

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 频率 = 2.6 GHz