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D2H010DA1
Brief description for the product
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数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H010DA1是一种款氢氟酸处理硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材转至率纳米线管(HEMT),体现了有使用率、高增益控制、利于配比、光纤宽带宽等优缺点,是不同的频射和微波通信应用的自然选定。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
685*570
mm
应用电压
48
V
典型功率
10
W
效率
83
%
增益
23.7
Db
质量和增益值指数公式为对照2.6GHz测试方法频点、最明显质量点下的模拟仿真数据资料
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 30 mA, 频率 = 2.6 GHz
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