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D2H620DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H620DE1是一个款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子设备迁出率尖晶石管(HEMT),有高效、性价比最高率、高增益控制、方便适合、光纤宽带宽等优点,是很多微波加热射频和微波加热APP的很好选择。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
1445*5870
mm
应用电压
48
V
典型功率
620
W
效率
75
%
增益
18.3
Db
吸收率和增益控制指数为使用2.6GHz公测频点、最明显吸收率点下的模型制作信息
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz
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