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D2H620DE1


Brief description for the product

D2H620DE1

D2H620DE1是一个款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子设备迁出率尖晶石管(HEMT),有高效、性价比最高率、高增益控制、方便适合、光纤宽带宽等优点,是很多微波加热射频和微波加热APP的很好选择。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











吸收率和增益控制指数为使用2.6GHz公测频点、最明显吸收率点下的模型制作信息

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz