D2H500DE1_雷火竞技官网高能半导体

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D2H500DE1

Brief description for the product

D2H500DE1一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学迁出率纳米线管（HEMT），还具有高成功率率、高收获、有利匹配好、带宽宽等结构特征，是几种rf射频和微波加热用的志向选。

Operating Characteristics

参数	值	单位
产品尺寸	1225*5900	mm
应用电压	48	V
典型功率	500	W
效率	72	%
增益	18.4	Db

速度和收获因素为相关联2.6GHz测试英文频点、比较大速度点下的仿真软件参数

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ = 1872 mA, 频率 = 2.6 GHz