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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H400DE1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能迁址率结晶管（HEMT），有科学规范率、高增益控制、利于配对、移动宽带宽等结构特征，是各式频射和微波加热适用的佳决定。