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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H320DB1是一个款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂迁徙率结晶管（HEMT），兼具高效益率、高增益控制、利于连接、联通宽带宽等特征，是种种rf射频和微波射频APP的梦想抉择。