雷火竞技官网

• 数据手册
• 应用方案
• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H320DE1也是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件转移率多晶体管（HEMT），拥有热效率率、高增益值、也容易搭配、光纤宽带宽等优点，是种种徽波射频和徽波软件应用的期望考虑。