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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H290DE1都是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子设备搬迁率尖晶石管（HEMT），具备有转化率、高增益控制、容易适配、移动宽带宽等特质，是几种频射和微波通信应用软件的非常完美采用。