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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H235DE1是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子技术搬迁率多晶体管（HEMT），存在高效益率、高收获、方便于适配、宽带网宽等结构特征，是多种rf射频和微波射频应用领域的梦想确定。