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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H210DE1是一种款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子知识率单晶体管（HEMT），更具高效化率、高收获、更能相匹配、带宽宽等特性，是各个rf射频和徽波技术应用的非常完美抉择。