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D2H185DE1

Brief description for the product

D2H185DE1
D2H185DE1是一个款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商变更率多晶体管（HEMT），体现了高效化率、高增加收益、方便于相匹配、带宽宽等基本特征，是所有频射和微波通信用的好确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸905*4125mm
应用电压48V
典型功率185W
效率
80%
增益20.0dB











成功率和增益控制公式为分属2.6GHz考试频点、最主要成功率点下的模型模拟数剧

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 频率 = 2.6 GHz