雷火竞技官网

D2H150DE1


Brief description for the product

D2H150DE1

D2H150DE1有的是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材转至率氯化钠晶体管(HEMT),享有更高有效率、高增加收益、便于适配、宽带网宽等特殊性,是各项频射和微波加热app的满意选定 。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸795*3410mm
应用电压48V
典型功率150W
效率
80%
增益20.4dB











转化率和增益值技术指标为相应2.6GHz測試频点、极大转化率点下的建模的数据

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 频率 = 2.6 GHz