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D2H150DE1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H150DE1有的是款无定形碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子器材转至率氯化钠晶体管(HEMT),享有更高有效率、高增加收益、便于适配、宽带网宽等特殊性,是各项频射和微波加热app的满意选定 。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
795*3410
mm
应用电压
48
V
典型功率
150
W
效率
80
%
增益
20.4
dB
转化率和增益值技术指标为相应2.6GHz測試频点、极大转化率点下的建模的数据
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 504 mA, 频率 = 2.6 GHz
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