D2H135DE1_雷火竞技官网高能半导体

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D2H135DE1

Brief description for the product

D2H135DE1就是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件迁出率结晶管（HEMT），具有着高率、高增加收益、容易适应、移动宽带宽等优点和缺点，是所有频射和微波加热广泛应用的满意选定。

Operating Characteristics

参数	值	单位
产品尺寸	975*4165	mm
应用电压	48	V
典型功率	135	W
效率	80	%
增益	21.0	dB

生产率和增益值的指标为分别2.6GHz公测频点、最主要生产率点下的防真数据库

仿真测试条件：V_DD = 48 V, I_DQ = 442 mA, 频率 = 2.6 GHz