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D2H120DE1

Brief description for the product

D2H120DE1
D2H120DE1就是一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子变更率氯化钠晶体管（HEMT），含有优质率、高增加收益、适于适配、网络带宽宽等特质，是各个rf射频和微波加热利用的抱负挑选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸860*2710mm
应用电压48V
典型功率120W
效率
81%
增益20.8dB











的吸收率和收获公式为相对应的2.6GHz公测频点、最大化的吸收率点下的模型仿真数据库

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 频率 = 2.6 GHz