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D2H095DE1

Brief description for the product

D2H095DE1
D2H095DE1是一个款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子挪动率晶状体管（HEMT），享有高效、性价比最高率、高增益控制、可以一致、网络带宽宽等特征，是很多rf射频和微波射频软件应用的良好首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*2685mm
应用电压48V
典型功率95W
效率
81%
增益21.0dB











效果和增加收益要求为相对应2.6GHz测试软件频点、较大 效果点下的建模数据资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 频率 = 2.6 GHz