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D2H065DE1


Brief description for the product

D2H065DE1

D2H065DE1是一种款氧化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高智能电子转入率氯化钠晶体管(HEMT),极具率高率、高增益控制、更能搭配、宽带网宽等共同点,是各项频射和红外光广泛应用的非常理想进行。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸880*2000mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.5dB











质量和增益控制指标图为相对2.6GHz各种测试频点、比较大质量点下的仿真软件数据信息

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 频率 = 2.6 GHz