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D2H065DB1

Brief description for the product

D2H065DB1
D2H065DB1是一个款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子无线迁入率晶胞管（HEMT），更具高效性率、高增益值、方便配备、宽带网宽等的特点，是各式微波射频射频和微波射频适用的非常完美选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1995mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.8dB











速率和增益控制指标图为相匹配的2.6GHz测试英文频点、最多速率点下的防真参数

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 频率 = 2.6 GHz