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D2H055DB1


Brief description for the product

D2H055DB1

D2H055DB1是一种款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子技术转至率氯化钠晶体管(HEMT),具备高效化率、高增加收益、方便符合、网络带宽宽等结构特征,是不同的微波射频射频和微波射频操作的理想型挑选。

Operating Characteristics

参数单位
产品尺寸785*1755mm
应用电压48V
典型功率55W
效率
82%
增益22.0dB











工作转化率和增益控制质量指标为对应着2.6GHz检查频点、非常大工作转化率点下的防真数据报告

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 频率 = 2.6 GHz