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D2H055DB1
Brief description for the product
数据手册
应用方案
应用手册
AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
D2H055DB1是一种款增碳硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子技术转至率氯化钠晶体管(HEMT),具备高效化率、高增加收益、方便符合、网络带宽宽等结构特征,是不同的微波射频射频和微波射频操作的理想型挑选。
Operating Characteristics
参数
值
单位
产品尺寸
785*1755
mm
应用电压
48
V
典型功率
55
W
效率
82
%
增益
22.0
dB
工作转化率和增益控制质量指标为对应着2.6GHz检查频点、非常大工作转化率点下的防真数据报告
仿真测试条件:V
DD
= 48 V, I
DQ
= 162 mA, 频率 = 2.6 GHz
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