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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H046DA1就是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子搬迁率晶胞管（HEMT），更具高率、高增益值、有利于连接、联通宽带宽等性能，是各类微波加热射频和微波加热软件应用的非常理想选取。