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  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H042DB1也是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子迁出率结晶管（HEMT），具备高质量率、高增益值、易一致、联通宽带宽等特征，是繁多rf射频和红外光用途的人生理想确定。