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• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT Die Packaging Guide(V03)
  • AN_05-Thermal Performance Guide for RF Power Amplifiers(V03)
  • AN_11-GaN HEMT Die Vacuum Release Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)
  • AN_12-GaN HEMT Die Waffle Tray Packaging Opening&Pick-up Instruction(V02)

D2H039DB1就是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材变迁率纳米线管（HEMT），兼有高成功率率、高增益值、也容易配备、光纤宽带宽等优势特点，是各式各样微波通信射频和微波通信用途的自然考虑。