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D2H039DA1

Brief description for the product

D2H039DA1
D2H039DA1是一种款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子迁入率结晶管（HEMT），更具有生产率、高增益值、可以切换、网络带宽宽等优点，是种种微波通信射频和微波通信技术应用的非常完美使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1092mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.1dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

模拟公测情况：VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 速度 = 2.6 GHz