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D2H025DB1

Brief description for the product

D2H025DB1
D2H025DB1是一种款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转移率结晶体管（HEMT），兼有科学规范率、高增益值、不易相匹配、宽带网宽等优缺点，是不同的rf射频和徽波应用软件的理想化选定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸685*1035mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益22.7dB











使用率和增益值因素为相对应的2.6GHz各种测试频点、最大程度使用率点下的模仿数据库

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 频率 = 2.6 GHz