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D2H025DA1

Brief description for the product

D2H025DA1
D2H025DA1有的是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学迁出率氯化钠晶体管（HEMT），有高使用率率、高增益控制、适于匹配好、联通宽带宽等亮点，是种种rf射频和徽波技术应用的非常理想挑选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸645*825mm
应用电压48V
典型功率25W
效率
82%
增益21.9dB











错误率和增益控制要求为使用2.6GHz检验频点、最大的错误率点下的仿真技术数剧

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 频率 = 2.6 GHz