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H系列管芯产品

产品型号 单指栅宽 (μm) 总栅宽 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型功率 (W) 效率@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H620DE1 1000 80.00 1445 5870 620 75 18.3
D2H500DE1 780 62.40 1225 5900 500 72 18.4
D2H400DE1 620 49.60 1065 5900 400 73 19.2
雷火竞技官网:D2H320DB1 410 39.36 915 6075 320 76 20.1 雷火竞技官网:
D2H320DE1 490 39.20 935 5870 320 76 19.3 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H290DE1 440 35.20 955 5795 290 77 20.2 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H235DE1 390 28.08 835 5440 135 79 20.3
雷火竞技官网:D2H210DE1 410 24.60 855 4860 210 80 20.5
D2H185DE1 390 21.84 905 4125 185 80 20.0 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H150DE1 350 16.80 795 3410 150 80 20.4 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H135DE1 335 14.74 975 4165 135 80 21.0
D2H120DE1 355 12.78 860 2710 120 81 20.8 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H095DE1 310 9.92 785 2685 95 81 21.0
雷火竞技官网:D2H065DE1 350 6.30 880 2000 65 82 21.5
D2H065DB1 230 6.44 845 1995 65 82 21.8
D2H055DB1 225 5.40 785 1755 55 82 22.0
雷火竞技官网:D2H046DA1 340 4.76 880 1640 46 82 21.3
D2H042DB1 210 4.20 785 1515 42 82 22.7
D2H039DB1 215 3.87 785 1395 39 82 22.7 雷火竞技官网:
雷火竞技官网:D2H039DA1 335 4.02 845 1092 39 82 22.1
注：
1. 效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据。

D2H620DE1

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D2H620DE1
D2H620DE1就是一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材渗透率结晶体管（HEMT），享有高效应的率、高收获、也容易筛选、光纤宽带宽等基本特征，是一些rf射频和微波通信app的很理想选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1445*5870mm
应用电压48V
典型功率620W
效率
75%
增益18.3Db











吸收率和增加收益评价指标为表示2.6GHz測試频点、最大程度吸收率点下的模仿统计资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H500DE1

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D2H500DE1
D2H500DE1有的是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商移迁率单晶体管（HEMT），有成功率高率、高增益值、适于符合、联通宽带宽等特质，是多种频射和微波通信app的非常理想会选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1225*5900mm
应用电压48V
典型功率500W
效率
72%
增益18.4Db











转化率和增益控制招生指标为相匹配2.6GHz公测频点、极大转化率点下的仿真模型数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H400DE1

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D2H400DE1
D2H400DE1不是款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高智能电子转迁率尖晶石管（HEMT），享有高效能率、高增益值、更易自动匹配、网络带宽宽等特性，是各样微波射频射频和微波射频APP的梦想选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸1065*5900mm
应用电压48V
典型功率400W
效率
73%
增益19.2Db











利用率和增益值公式为对应着2.6GHz测试软件频点、极限利用率点下的模拟仿真数剧

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H320DB1

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D2H320DB1
D2H320DB1一款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件移动率氯化钠晶体管（HEMT），兼备高效性率、高增益值、非常容易配比、宽带网宽等特殊性，是各种各样rf射频和红外光使用的理想的首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸915*6075mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益20.1Db











转化率和收获要求为相应2.6GHz公测频点、更大转化率点下的仿真技术资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H320DE1

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D2H320DE1
D2H320DE1是一个款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电商迁入率结晶管（HEMT），极具高速率率、高增益控制、更易匹配好、宽带网络宽等共同点，是各样rf射频和红外光利用的很好考虑。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸935*5870mm
应用电压48V
典型功率320W
效率
76%
增益19.3Db











错误率和增益值指標为相匹配的2.6GHz检验频点、大错误率点下的仿真软件数据分析

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H290DE1

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D2H290DE1
D2H290DE1是一个款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件变迁率结晶体管（HEMT），包括更高错误率、高增加收益、更易配对、联通宽带宽等优势，是各式各样微波射频射频和微波射频应用的良好选泽。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸955*5795mm
应用电压48V
典型功率290W
效率
77%
增益20.2dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H235DE1

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D2H235DE1
D2H235DE1是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转化率硫化锌管（HEMT），体现了更高率、高增益值、更易适合、光纤宽带宽等优点，是各式各样rf射频和微波加热操作的非常完美选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸835*5440mm
应用电压48V
典型功率235W
效率
79%
增益20.3dB











能力和增加收益技术指标为分属2.6GHz考试频点、最大化能力点下的仿真模型统计资料

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H210DE1

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D2H210DE1
D2H210DE1一款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高微电子迁入率尖晶石管（HEMT），包括高效能率、高增加收益、可以相匹配、带宽宽等结构特征，是多种多样rf射频和红外光用的理想型选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸855*4860mm
应用电压48V
典型功率210W
效率
80%
增益20.5dB











成功率和增益值要求为对照2.6GHz测评频点、上限成功率点下的模拟信息

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 738 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H185DE1

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D2H185DE1
D2H185DE1是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器件迁出率尖晶石管（HEMT），具质量高率、高增加收益、有利搭配、宽带网络宽等亮点，是多种频射和微波通信操作的理想型使用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸905*4125mm
应用电压48V
典型功率185W
效率
80%
增益20.0dB











率和增加收益指数公式为各自2.6GHz检测频点、极大率点下的防真数据文件

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H150DE1

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D2H150DE1
D2H150DE1不是款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子技术移动率硫化锌管（HEMT），具备有高率的率、高收获、有利筛选、宽带网络宽等优势，是几种rf射频和徽波适用的良好选泽。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸795*3410mm
应用电压48V
典型功率150W
效率
80%
增益20.4dB











转化率和收获指標为使用2.6GHz考试频点、很大转化率点下的逼真统计数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H135DE1

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D2H135DE1
D2H135DE1是一个款氢氟酸处理硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光学转入率纳米线管（HEMT），具备有工作效率高率、高收获、利于匹配好、网络带宽宽等优势特点，是各式各样rf射频和徽波应运的理想的选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸975*4165mm
应用电压48V
典型功率135W
效率
80%
增益21.0dB











高利用率和收获评价指标为相对应的2.6GHz自测频点、最好高利用率点下的模型制作动态数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H120DE1

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D2H120DE1
D2H120DE1就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子元器件知识率硫化锌管（HEMT），具备着提高使用率率、高收获、不易配比、宽带网宽等特质，是各类频射和微波通信运用的抱负确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸860*2710mm
应用电压48V
典型功率120W
效率
81%
增益20.8dB











错误率和收获指標为各自2.6GHz软件测试频点、较大错误率点下的仿真技术数据文件

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H095DE1

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D2H095DE1
D2H095DE1一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子转迁率晶胞管（HEMT），包括有利用率、高增加收益、可以相配、宽带网络宽等特色，是各样红外光射频和红外光应用领域的理想的选择。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*2685mm
应用电压48V
典型功率95W
效率
81%
增益21.0dB











利用率和增益值统计指标为分属2.6GHz测试仪频点、比较大利用率点下的模型仿真数据统计

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H065DE1

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D2H065DE1
D2H065DE1不是款无定形碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子器材挪动率氯化钠晶体管（HEMT），有着优质率、高收获、容易连接、联通宽带宽等的特点，是各种各样的频射和红外光操作的期望首选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸880*2000mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.5dB











学习的效率和收获指标英文为表示2.6GHz自测频点、最明显学习的效率点下的模仿数值

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H065DB1

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D2H065DB1
D2H065DB1是一个款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂迁址率硫化锌管（HEMT），都具有有效果、高收获、容易连接、光纤宽带宽等作用，是所有微波射频射频和微波射频选用的人生理想确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1995mm
应用电压48V
典型功率65W
效率
82%
增益21.8dB











有成功率和增益值完成指标为相关联2.6GHz测试图片频点、主要有成功率点下的建模数据表格

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H055DB1

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D2H055DB1
D2H055DB1就是一款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高手机迁出率结晶管（HEMT），兼备优质率、高增益值、易搭配、宽带网络宽等作用，是各方面频射和徽波软件的不错选用。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1755mm
应用电压48V
典型功率55W
效率
82%
增益22.0dB











有转化率和增加收益完成指标为相应的2.6GHz检验频点、最大程度有转化率点下的仿真技术数据报告

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H046DA1

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D2H046DA1
D2H046DA1就是款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子为了满足电子时代发展的需求，变更率尖晶石管（HEMT），体现了极有的效率率、高收获、容易符合、移动宽带宽等优势，是所有rf射频和微波射频app的很理想挑选。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸880*1640mm
应用电压48V
典型功率46W
效率
82%
增益21.3dB











速率和增加收益标准为相应2.6GHz测试测试频点、最明显速率点下的建模的数据

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 143 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H042DB1

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D2H042DB1
D2H042DB1一款炭化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子技术迁址率结晶管（HEMT），具高效益率、高增益控制、有利符合、宽带网宽等亮点，是各式红外光射频和红外光用途的良好取舍。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1515mm
应用电压48V
典型功率42W
效率
82%
增益22.7dB











能力和增益值指标图为匹配2.6GHz测试方法频点、最大化能力点下的模拟数据报告

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H039DB1

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D2H039DB1
D2H039DB1就是款增碳硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子厂挪动率氯化钠晶体管（HEMT），具备着能力率、高收获、利于搭配、宽带网宽等特别，是各方面rf射频和红外光app的期望确定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸785*1395mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.7dB











质量和增加收益指标体系为相对应的2.6GHz软件测试频点、极大质量点下的模型模拟数值

仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 116 mA, 频率 = 2.6 GHz


D2H039DA1

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D2H039DA1
D2H039DA1一款氧化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高光电子变更率结晶管（HEMT），体现了提高生产率率、高增益值、更能配比、带宽宽等特殊性，是不同频射和徽波用的很好决定。

Operating Characteristics

参数值单位
产品尺寸845*1092mm
应用电压48V
典型功率39W
效率
82%
增益22.1dB











效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真技术測試因素：VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 规律 = 2.6 GHz